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    首页 > 产品中心 > 分立半导体/二三极管 > 晶体管-场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管-单
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    IPD12CN10NGBUMA1 IPD12CN10NGBUMA1 IPD12CN10NGBUMA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3 + -

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    IPD096N08N3GBTMA1 IPD096N08N3GBTMA1 IPD096N08N3GBTMA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 + -

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    IPD26N06S2L35ATMA1 IPD26N06S2L35ATMA1 IPD26N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 + -

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    IPD25CNE8N G IPD25CNE8N G IPD25CNE8N G Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 + -

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    IPD15N06S2L64ATMA1 IPD15N06S2L64ATMA1 IPD15N06S2L64ATMA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 + -

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    IPD160N04LGBTMA1 IPD160N04LGBTMA1 IPD160N04LGBTMA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 + -

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    IPD170N04NGBTMA1 IPD170N04NGBTMA1 IPD170N04NGBTMA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 + -

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    IPD16CN10N G IPD16CN10N G IPD16CN10N G Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3 + -

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    IPD30N03S2L07ATMA1 IPD30N03S2L07ATMA1 IPD30N03S2L07ATMA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 + -

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    IPD12CNE8N G IPD12CNE8N G IPD12CNE8N G Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3 + -

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    IPD50N06S214ATMA1 IPD50N06S214ATMA1 IPD50N06S214ATMA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 + -

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    IPD80N06S3-09 IPD80N06S3-09 IPD80N06S3-09 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 + -

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    IPD50R520CP IPD50R520CP IPD50R520CP Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252 + -

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    IPI028N08N3GHKSA1 IPI028N08N3GHKSA1 IPI028N08N3GHKSA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 + -

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    IPD50N06S2L13ATMA1 IPD50N06S2L13ATMA1 IPD50N06S2L13ATMA1 Infineon Technologies 5000 MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 + -

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