
| Package | Bulk |
|---|---|
| Series | |
| RoHS | RoHS |
| Technology | EEPROM |
| Access Time | 120 ns |
| Memory Size | 512Kb (64K x 8) |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Part Status | Active |
| Memory Format | EEPROM |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 32-DIP (0.600", 15.24mm) |
| Clock Frequency | - |
| Memory Interface | Parallel |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Supplier Device Package | 32-DIP |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ms |
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| 数据表 | 图片 | 型号 | 品牌 | 库存 | 描述 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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N01S818HAT22I | onsemi | 5000 | IC SRAM 1MBIT SPI 20MHZ 8TSSOP | 查看详情 |
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IS43R16160F-6TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 5000 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | 查看详情 |
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MX29GL320EHT2I-70G | Macronix | 5000 | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 56TSOP | 查看详情 |
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MB85RS1MTPW-G-APEWE1 | Kaga FEI America, Inc. | 5000 | IC FRAM 1MBIT SPI 40MHZ 8WLP | 查看详情 |
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MX29LV640EBXEI-70G | Macronix | 5000 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48LFBGA | 查看详情 |
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MT29F4G08ABADAH4:D TR | Micron Technology Inc. | 5000 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA | 查看详情 |
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AS4C16M16MD1-6BCN | Alliance Memory, Inc. | 5000 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FPBGA | 查看详情 |
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AS6C1008-55PIN | Alliance Memory, Inc. | 5000 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32DIP | 查看详情 |
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IS43DR16160B-37CBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 5000 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | 查看详情 |
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S25FS128SAGMFV101 | Cypress Semiconductor Corp | 5000 | IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC | 查看详情 |

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